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              半导体的电阻率较大(约10-5£ρ£107W×m),而金属的电阻率则很小(约10-8~10-6W×m),绝缘体的电阻率则很大(约ρ³108W×m)。半导体的电阻率对温度的反应灵敏,例如锗的温度从200C升高到300C,电阻率就要降低一半左右。金属的电阻率随温度的变化则较小,例如铜的温度每升高1000C,ρ增加40%左右。电阻率受杂质的影响显著。金属中含有少量杂质时,看不出电阻率有多大的变化,但在半导体里掺入微量的杂质时,却可以引起电阻率很大的变化,例如在纯硅中掺入百万分之一的硼,硅的电阻率就从2.14´103W×m减小到0.004W×m左右。金属的电阻率不受光照影响,但是半导体的电阻率在适当的光线照射下可以发生显著的变化。目前太阳能行业,通过实践中发现,当电阻率在1~3W×m时,最终的产品是最高效的。           
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