无接触硅片厚度TTV电阻率综合测试系统

 

无接触硅片厚度TTV电阻率综合测试系统为太阳能/光伏硅片及其他材料提供快速、多通道的厚度、(总厚度变化)TTV、翘曲及无接触电阻率测量功能。并提供基于TCP/IP的数据传输接口及基于Windows的控制软件,用以进行在线及离线数据管理功能。。



无接触硅片厚度TTV电阻率综合测试系统 - 产品特点

使用MTI Instruments独有的推/拉电容探针技术
每套系统提供最多三个测量通道
可进行最大、最小、平均厚度测量和TTV测量
可进行翘曲度测量(需要3探头)
用激光传感器进行线锯方向和深度监视(可选)
集成数据采集和电气控制系统
为工厂测量提供快速以太网通讯接口,速率为每秒5片
可增加的直线厚度扫描数量
与现有的硅片处理设备有数字I/O接口
基于Windows的控制软件提供离线和在线的数据监控
提供标准及客户定制的探头
提供基于Windows的动态链接库用于与控制电脑集成
用涡电流法测量硅片电阻率



无接触硅片厚度TTV电阻率综合测试系统 - 技术指标

晶圆硅片测试尺寸:50mm- 300mm.
厚度测试范围:1.7mm,可扩展到2.5mm.
测厚度测试精度:+/-0.25um
厚度重复性精度:0.050um
测量点直径:8mm
 TTV 测试精度:  +/-0.05um
TTV重复性精度: 0.050um
弯曲度测试范围: +/-500um [+/-850um]                                           
弯曲度测试精度: +/-2.0um
弯曲度重复性精度: 0.750um
电阻率测量范围:5-2000ohm/sq(0.1-40ohm-cm)
电阻率测量精度:2%
电阻率测量重复精度:1%
晶圆硅片类型:单晶或多晶硅
材料:Si,GaAs,InP,Ge等几乎所有半导体材料
可用在:切片后、磨片前、后,蚀刻,抛光以及出厂、入厂质量检测等
平面/缺口:所有的半导体标准平面或缺口
硅片安装:裸片,蓝宝石/石英基底,黏胶带
连续5点测量




无接触硅片厚度TTV电阻率综合测试系统 - 应用范围

切片
线锯设置
厚度
总厚度变化TTV
 监测:导线槽、刀片更换
TTV重复性精度: 0.050um
  磨片/刻蚀和抛光                                      
过程监控
总厚度变化TTV
材料去除率
弯曲度
翘曲度
平整度
研磨
材料去除率
最终检测
硅抽检或全检
终检厚度




无接触硅片厚度TTV电阻率综合测试系统 - 典型客户

美国,欧洲,亚洲及国内太阳能及半导体客户。