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HS-NCS-200非接触厚度电阻率测试仪

 一、测试原理 1、电阻率测试探头原理 电阻率测试模块是由一对共轴涡流传感器,以及后续的处理电路组成。将半导体硅片置于两个探头的间隙中时,在电磁场的作用下,半导体硅片中会产生涡流效应,通过检测涡流效应的大小,可以换算出该硅片的电阻率和方块电阻。本方法是一种非接触无损测量的方法,不损伤材料表面,可以在大多数场合有效替代四探针法测试电阻率以及方块电阻。

 

 

 2、厚度测试探头原理 厚度探头采用的是一对共轴电容位移传感器。电容传感器具有重复性好,测试数值稳定,技术成熟等优点,广泛用于各种材料厚度的测试。 

二、适用范围 本设备为非接触无损测量设备,测试过程中对硅片表面以及内部不会造成损伤。特别适用于代替四探针法用于半导体硅片成品分选检验。一台仪器可以同时对厚度和电阻率两个指标进行测试分选,减少了测试工序和测试时间,提高了测试效率。 典型的客户:科研单位、硅片生产厂商、半导体器件生产厂商、光伏企业、导电薄膜研发生产企业。

 三、仪器构成 1、测试主机:1台 2、电源线:1根 3、串口数据线:1根 4、电脑端软件:1套 5、塑料定位柱:2个

 四、仪器外观尺寸结构及图片

 1、整机尺寸:340*260*180mm 

2、机箱颜色:电脑白 

3、仪器结构:本仪器采用厚度探头和电阻率探头前后并列安装的方式。 

仪器外观图片(不同批次外观有细微区别) 

五、仪器主要指标 

1、电气规格 a.使用标准三插头,由220V交流电供电,整机功耗小于15瓦。 b.本仪器测试平台和外壳均为金属材料,按照安全规范,请确保电源地线正确连接。 

2、测试范围 测试样品要求:厚度小于600um的半导体硅片以及其他类似材料。(为客户提供特殊定制,厚度最大的测试范围可以扩展到800um) 电阻率范围: L档: 0.2-5 Ω·cm H档: 5-50 Ω·cm 注:电阻率不在上述量程范围内的可以按要求调整,调整的范围可以在0.001-100Ω*cm。 厚度范围: 100-600 um (定制版可以做到 300-800um) 注:普通版本厚度大于700um的硅片无法放入测试区域。

 3、电阻率测试精度(在正确校准,23摄氏度环境中预热2小时的情况下测定) 范围(单位) 重复度 测量误差(正确校准情况下) 0.2-5 Ω*cm <1% <5% 5-50 Ω*cm <2% <5% 注:该数据为500um左右厚度硅片中心电阻率测试结果。 

4、厚度测试精度(在正确校准,23摄氏度环境中预热2小时的情况下测定) 范围(单位) 重复度 测量误差(正确校准情况下) 100-600 um <+-1um <+-1um 

六、安装说明 

1、软硬件要求 自备带有串口(DB9接口)的笔记本或者台式电脑,屏幕分辨率不低于1024*1280.预装XP系统以及EXCEL 2003办公软件(本公司不提供XP系统以及OFFICE软件)。

 2、仪器安装和环境要求

 a、推荐测试条件为23±2℃,相对湿度小于70%,测试环境推荐使用空调等调温设备,保持室内温湿度的稳定。 

b、放置在水平坚固的桌面上,避免倾侧或者震动。

 c、勿靠近热源,强的电磁场或者出风口。特别提醒:移动电话等无线通讯设备工作过程中会产生电磁脉冲,干扰测试结果。测试时请与设备保持1m以上的距离。 

d、环境需要一定的清洁度 e、勿堵塞仪器底面和后面板的风扇散热口。 f、DB9数据线和电源线按照要求接好。

 八、仪器使用简介(详细的信息请参考使用说明书)

 1 开机预热 打开仪器后面板开关,散热风扇开始工作,打开软件。预热30分钟,使得仪器跟环境之间温度达到平衡再开始校准和测试。本仪器工作功率15w以内,可以长时间连续开机,推荐工作时间内不需要关机。

 2 厚度校准 厚度校准采用2片硅片校准。校准硅片的值可以取200um左右和600um左右的经过标定的硅片各一片。其中测试3寸片的时候需要用三寸的样片校准,4寸及以上使用4寸片校准。使用过程中,由于环境温度和湿度的变化,厚度测试值可能会出现漂移。请隔2-3小时用校准硅片点检一次,出现漂移请重新校准。

 3.电阻率校准 电阻率校准采用的也是2片硅片校准。校准硅片可以选取500um左右厚度的硅片,一般要求被测试片的值在两片校准样片测试值之间。与厚度测试类似,由于环境温度的变化,电阻率测试值可能会出现漂移。请隔2-3小时用校准硅片点检一次,出现漂移的话请重新校准。

 4.测试台面清洁 测试台面使用的是铝氧化层,具有耐磨和光滑的特点,勿使用硬物敲或者锋利的刀片划,否则可能损坏表面,影响使用。日常清洁可以使用布沾酒精轻轻擦拭。清洁表面之后,请过10-20分钟,等酒精和水分完全挥发之后,再进行测试。否则水蒸气或者酒精蒸汽可能会影响测试结果。

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