NIR-PLUS2017少子红外PL光致发光集成测试仪是一款集成了少子、红外、PL光致发光检测的超级测试系统，能够在2分钟内实现对硅棒的红外少子PL的全工艺检测，包括少子寿命、硬质点、隐裂、微裂纹、黑心、黑边、异常生长、光致发光检测、电池片效率预测等等。对硅棒而言更是简便，四面检测，一键搞定。

■检测类型：单晶，多晶，类单晶
■检测指标：少子寿命、硬质点、隐裂、微裂纹、黑心、黑边、异常生长、PL、电池片效率预测等
■样品表面：毛面、光面均可
■检测尺寸：156mm*156mm，210mm*210mm，尺寸也可根据客户要求拓展
■检测高度：500mm
■检测速度：四面检测少子红外PL光致发光，小于2分钟
■少子红外PL光致发光综合检测分析，精准画线
■分辨率：512*1150pixel[0.3mm]，高分辨率图像可用于细节分析
■波长：900-1700nm
■3D功能分析
■工作电源: 220AC, 2000W
■工作温度: 15-35度
■工作湿度: 20%-60%
■尺寸: 1000[H]*1100[W]*800[mm]+工控机
■重量: 166kg(含附件)
■符合标准：CE，RoHs
 


    高分辨率集成，2分钟之内，检测出3D少子和3D红外所有检测数据信息。一套系统，集成少子检测、红外探伤、PL光致发光检测功能，堪称史上最牛也是最高性价比的检测系统。




    PL光致发光检测模式中，集成了用户通常检测所需的少子检测、彩色扫描标定（color maps）、柱状图分布等。另外硅块扫描检测的缺陷百分比和杂质百分比计算分析将为硅片生产效率的提升提供重要支撑。







    用户无需人工分析，系统自动一键画线功能，软件立刻精准画出切割线。
 


    系统校验匹配后的，少子寿命检测的误差率控制在5%以内。在某些方面，比如硅块的俄歇复合区域（Auger recombination dominated zones），NIR-PLUS2017有着其他少子寿命测试仪无可比拟的优势，如上图的绿色区域它能更加细微地表征出少子寿命的差异，而这些区域和差异通常只有在类似阳光和光致发光激光照明的高注入特殊条件下才能实现。
 






NIR-PLUS2017还提供PL的研发测试功能，包括晶圆硅片都可以进行检测，硅棒的缺陷百分比及杂质百分比计算分析功能和硅片电池片效率检测具有着高度的匹配一致性。









    和传统的微波光电导衰减(μ-PCD,Microwave Photoconductive Decay)测试结果的一致性比较。




   
    NIR-PLUS2017的检测兼顾了检测的快速性和检测的高分辨率，如上图是我们100mm*100mm的硅块区域。


    我们的少子寿命测试原理和传统的微波光电导衰减(μ-PCD,Microwave Photoconductive Decay)原理不同，其在校验后，将具有良好的相关性和一致性。切割画线也具有良好的一致性。同样的结果，NIR-PLUS2017显示出高效的优势。上图显示的最大的差异是在俄歇复合区域（Auger recombination dominated zones）。
 



    红外探伤功能的评估模块也使用户工作更简便，效率更高。