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产品介绍:
     SiC的物理和电学属性使其成为短波长光电、高温、耐辐射、高功率/高频率电子器件的首选半导体材料。然而生长优质的SiC单晶非常困难,其中第一要素就取决于SiC晶种的品质。晶种的类型、表面性质和吸附变化极大地影响着SiC晶体的生长类型、缺陷结构以及电学性质等等。
    合能阳光提供的SiC晶种,可充分满足不同需求的客户,优质的晶种品质为客户SiC长晶的成品率与晶片质量提供了可靠的保障。

 

物理性质:


标准参数:
    完全可以根据客户需求提供不同品质的晶种。Micropipe密度,标准控制在30/cm2以内,高品质可以控制在5/cm2以内。

 

典型客户:
美国,欧洲,亚洲及国内SiC衬底企业。

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