蓝宝石晶体(0001)面和(1120)面的位错腐蚀坑呈现不同的形状是由晶体所属的点群和晶体结构所决定的。化学腐蚀剂的作用就是破坏晶体内部分子或原子间相互作用键,键合力较小的首先被破坏。而在晶体生长过程中位错也主要产生在相互键合较弱的分子或原子间。

 

晶体生长时如果外界条件(如生长速度的波动、热振动、机械振动、结晶时固态-液态原子密度差异、结晶冷却应力产生的晶格滑移等)发生变化就容易造成晶格排列错位。

 

晶体缺陷是处于能量较高的不稳定的非平衡状态。因此在化学试剂作用下,缺陷处晶格原子首先与化学试剂发生作用,释放出能量以达到平衡态,从而形成某种特定形状的腐蚀图像。

 

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