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微电子设备研究室

    中国科学院微电子研究所微电子设备研究室于2010年底建成重大科研装备研发与Demo测试平台实验室,该实验室按照千级净化标准建造,是针对下一代集成电路设备关键技术、太阳能电池装备、高亮度LED制造装备和通用型微细加工设备进行自主研发,特别是针对亚32nm节点CMOS工艺、MEMS工艺、太阳能电池工艺和其它特殊工艺,进行设计、加工、及测试服务。集微米、纳米加工和检测手段于一体,具有先进的、有特色的多功能的加工及检测平台 。被纳入集成电路测试技术北京市重点实验室、中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室、全国纳米技术标准化技术委员会微纳加工技术标准化工作组、北京集成电路测试技术联合实验室等。

    实验室正在逐渐建设成为一个融集成电路、新能源、LED和通用型设备、工艺的基础研究、加工、装配和测试分析于一体的完善的研究开发和用户服务体系。

    实验室可以提供万级净化环境的装配车间,工艺设备和测试仪器可以提供对外加工服务,可以进行项目合作开发,为高校提供实习实践基地等,随时欢迎您的到来!

部分设备介绍

原子力显微镜

    可用来测量直径可达200毫米的半导体硅片、刻蚀掩膜、磁介质、CD/DVD、生物材料、光学材料和其它样品的表面特性。扫图最宽范围为90um*90um,最深台阶<10um。Z轴精度可达0.1nm,XY精度可达1nm。

激光共焦显微镜

    可获得分辨率高达0.12μm的表面显微图像,通过处理图像,获得样品表面的三维真实形态,最终可测得亚微米级的线宽,面积,体积,台阶,线与面粗糙度,透明膜厚,几何参数等测量数据。

台阶仪

    主要应用于薄膜的厚度测量、物体表面形貌测量、应力测量和平整度等精密测量。低噪声基底可改善表征微小表面特征的测量灵敏度小于6 埃的步进高度可重复性。 可测台阶<300um,精度可到6埃。

椭偏仪

    目前世界范围内最先进的全自动椭偏仪,专利光斑可视技术,高精度,8种微光斑尺寸,可测薄膜的厚度,光学参数等。

电阻测试仪

    四探针法测量表面电阻,矩形最大可测156*156mm,圆片最大8inch,可生成mapping图。

光学显微镜

    电脑实时显示成像,可测8inch。电动物镜转换器的切换速度比原来提高了20%。 UIS2物镜大幅度地提高了高倍率的偏心精度。配有1.25倍物镜,最大可检查范围的直径为20.8mm

同步热分析仪

    覆盖 -150 至 2000℃ 的宽广的温度范围。可以快速而深入地对材料的热稳定性,分解行为,组分分析,相转变,熔融过程等进行表征。

 太阳能电池IV测试仪

    最大可测矩形片156*156mm,圆片8inch,模仿太阳光照射下的IV曲线。

光学轮廓仪

    测量样品表面粗糙度,主要针对光滑表面,测量垂直分辨率是0.1nm,最大纵深为 1um。测量表面台阶高度,的最大高度可达 5mm。

傅立叶红外光谱仪

    适用于液体、固体、金属材料表面镀膜等样品。它不仅可以检测样品的分子结构特征,还可对混合物中各组份进行定量分析,本仪器的测量范围为(7500~370) cm-1,常用波数范围(4000~400) cm-1【对应波长范围为(2.5~25)μm】。

 X射线衍射仪

    仪器采用当前最先进的技术,测角仪测角准确度与精确度达到当前世界先进水平, 保证衍射峰位、峰形和强度测量准确、精确。可进行粉末物相分析、晶粒大小判断、结晶度分析、物相含量分析、薄膜分析。仪器包括X射线发生器、高精密测角仪、人工多层膜聚焦镜,五轴薄膜样品台、计算机控制系统、数据处理软件、相关应用软件等。

全自动反射式薄膜测量仪

    为自主研发设备,可测量硅晶太阳能绒面减反膜,单晶及多晶太阳能基底,一般薄膜膜厚测量,硅晶太阳能绒面减反膜及一般薄膜折射率测量(光学常数 n&k),电动平移台实现全表面自动扫描,深紫外宽光谱(有效光谱范围210nm-1000nm),测量时间:<2s/点,可实现快速精确测量,自动数据分析和报告生成。

霍尔效应测试仪

    本仪器主要用于量测电子材料重要特性参数,如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等。薄膜或体材料均可,其原理主要依据范德堡法则。除了用来判断半导体材料导电类型(n或p)以外,它还可应用于LED外延层的质量判定、判断在HEMT组件中二维电子气是否形成以及太阳能电池片的制程辅助。

工艺设备

1. 磁控溅射台 型号:SP-3

现有靶材为Ta Cu SiTiMoNi,其它薄膜溅射自带靶材,最大可同时放入三片6寸圆片。溅射腔室可通入气体:ArN2H2O2,溅射速率0.10.25nm/S(视材质而定)。 

2. 等离子体浸没式离子注入机  PIII-100

该设备由控制系统、真空系统、气路系统、射频电源、反应室等五部分组成。可用于半导体材料的PN型注入,也可用于HHeAr的注入用于智能剥离SOI材料的研究。 

 

3. 紫外光刻机 URE-2000/A

 

本设备主要用于紫外接近、接触式光刻制造小规模集成电路、半导体器件、红外器件、微机电系统(MEMS)等,可曝光2’’-6”圆片, 套刻工艺加工,灯源采用1000W直流高压汞灯,曝光波长使用365nm 

 

4. 快速退火炉 AW810M

温度范围为常温至1200℃,升温速度快,加热至最高温度仅需30S,可通N2O2进行工艺。 

 

5. 硅片清洗机 SFQ-1508T

 

主要应用于各种半导体基片及类似材料制造过程中的湿法清洗工艺。如半导体硅片、砷化镓,太阳能电池板,掩模板及各种平板显示器等。最大可清洗片子尺寸:Φ300mm , 含酸碱槽、氢佛酸槽,清洗槽最高加热温度可达200℃

 

6. 旋转冲洗甩干机 CXS-2200B

 

该设备是高洁净度冲洗甩干设备, 结构采用净化处理技术,去离子水电阻率监控,可甩干2-8寸晶圆,125*125,156*156方片。

 

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