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硅单晶电阻率标准片(以下简称标准样片)是用高纯多晶硅,经过单晶设备,再经中子嬗变掺杂等多种工艺制造的,具有一定几何尺寸的实物标准.由不确定度已知的标准装置,对该实物标准的电阻率及其他指标给予标定,使用时以标准样片为准,对相关参数进行量值传递。
合格指标 样片级别
项目
国家标准样片
一级标准样片
二级标准样片
直 径
（40 —75）±1% mm
（40 —75）±1% mm
（25 —100）±2% mm
厚 度
W≤1.0mm
W≤1.0mm
W≤1.0mm
标称值偏差
0.01Ω.cm —500Ω.cm
±5%
±10%
±15%
中心点电阻率重复率（2σ）
0.3%
0.4%
0.8%
径向电阻率不均匀度
≤3%
≤4%
≤8%
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合格指标 样片级别
项 目 |
国家标准样片 |
一级标准样片 |
二级标准样片 |
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年稳定度 |
（40 —75）±1% mm |
（40 —75）±1% mm |
（25 —100）±2% mm |
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扩展不确定度(包含因子 k=2) |
±1.0% |
±1.5% |
±2.5% |
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备注：电阻率大于500Ω.cm和电阻率为0.005Ω.cm的电阻率标准样片标称值偏差为±15%，中心电阻率重复性为0.8%（2σ）,扩展不确定度为2.0%,二级标准样片，中心电阻率重复性为1.0%(2σ）,扩展不确定度为3.0% |
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