当前位置:太阳能光伏 >> 硅片 >> 氧/碳含量
           

    氧含量是指规中间隙氧元素的含量,单位个/立方厘米,半导体材料的氧含量过多,将减少少数载流子的复合寿命,从而导致最终的电池片的效率降低,目前的行业标准为氧含量<=1*10E18个/立方厘米。

 

    碳含量是指半导体材料中的代位碳元素的原子含量,单位个/立方厘米,碳含量除了能影响最终电池片效率外,更重要的是过多的碳含量将使的硅片易碎,提升了产品碎片率,降低了成品率,目前的行业标准为碳含量<=5*10E16个/厘米。

版权所有:2008-2012 合能阳光 京ICP备10046290号 京公网安备11011 2000459号