微电子设备研究室
    中国科学院微电子研究所微电子设备研究室于2010年底建成重大科研装备研发与Demo测试平台实验室，该实验室按照千级净化标准建造，是针对下一代集成电路设备关键技术、太阳能电池装备、高亮度LED制造装备和通用型微细加工设备进行自主研发，特别是针对亚32nm节点CMOS工艺、MEMS工艺、太阳能电池工艺和其它特殊工艺，进行设计、加工、及测试服务。集微米、纳米加工和检测手段于一体，具有先进的、有特色的多功能的加工及检测平台 。被纳入集成电路测试技术北京市重点实验室、中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室、全国纳米技术标准化技术委员会微纳加工技术标准化工作组、北京集成电路测试技术联合实验室等。
    实验室正在逐渐建设成为一个融集成电路、新能源、LED和通用型设备、工艺的基础研究、加工、装配和测试分析于一体的完善的研究开发和用户服务体系。
    实验室可以提供万级净化环境的装配车间，工艺设备和测试仪器可以提供对外加工服务，可以进行项目合作开发，为高校提供实习实践基地等，随时欢迎您的到来！
部分设备介绍
原子力显微镜

    可用来测量直径可达200毫米的半导体硅片、刻蚀掩膜、磁介质、CD/DVD、生物材料、光学材料和其它样品的表面特性。扫图最宽范围为90um*90um,最深台阶＜10um。Z轴精度可达0.1nm，XY精度可达1nm。
激光共焦显微镜

    可获得分辨率高达0.12μm的表面显微图像，通过处理图像，获得样品表面的三维真实形态，最终可测得亚微米级的线宽,面积,体积,台阶,线与面粗糙度,透明膜厚，几何参数等测量数据。
台阶仪

    主要应用于薄膜的厚度测量、物体表面形貌测量、应力测量和平整度等精密测量。低噪声基底可改善表征微小表面特征的测量灵敏度小于6 埃的步进高度可重复性。 可测台阶＜300um，精度可到6埃。
椭偏仪

    目前世界范围内最先进的全自动椭偏仪，专利光斑可视技术，高精度，8种微光斑尺寸，可测薄膜的厚度，光学参数等。
电阻测试仪

    四探针法测量表面电阻，矩形最大可测156*156mm，圆片最大8inch，可生成mapping图。
光学显微镜 

    电脑实时显示成像，可测8inch。电动物镜转换器的切换速度比原来提高了20%。 UIS2物镜大幅度地提高了高倍率的偏心精度。配有1.25倍物镜，最大可检查范围的直径为20.8mm
同步热分析仪

    覆盖 -150 至 2000℃ 的宽广的温度范围。可以快速而深入地对材料的热稳定性，分解行为，组分分析，相转变，熔融过程等进行表征。
 太阳能电池IV测试仪

    最大可测矩形片156*156mm,圆片8inch，模仿太阳光照射下的IV曲线。
光学轮廓仪

    测量样品表面粗糙度，主要针对光滑表面，测量垂直分辨率是0.1nm，最大纵深为 1um。测量表面台阶高度，的最大高度可达 5mm。
傅立叶红外光谱仪

    适用于液体、固体、金属材料表面镀膜等样品。它不仅可以检测样品的分子结构特征，还可对混合物中各组份进行定量分析，本仪器的测量范围为(7500～370) cm-1，常用波数范围(4000～400) cm-1【对应波长范围为(2.5～25)μm】。
 X射线衍射仪

    仪器采用当前最先进的技术，测角仪测角准确度与精确度达到当前世界先进水平， 保证衍射峰位、峰形和强度测量准确、精确。可进行粉末物相分析、晶粒大小判断、结晶度分析、物相含量分析、薄膜分析。仪器包括X射线发生器、高精密测角仪、人工多层膜聚焦镜，五轴薄膜样品台、计算机控制系统、数据处理软件、相关应用软件等。
全自动反射式薄膜测量仪

    为自主研发设备，可测量硅晶太阳能绒面减反膜，单晶及多晶太阳能基底，一般薄膜膜厚测量，硅晶太阳能绒面减反膜及一般薄膜折射率测量(光学常数 n&k),电动平移台实现全表面自动扫描，深紫外宽光谱(有效光谱范围210nm-1000nm)，测量时间：<2s/点，可实现快速精确测量，自动数据分析和报告生成。
霍尔效应测试仪

    本仪器主要用于量测电子材料重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等。薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。除了用来判断半导体材料导电类型(n或p)以外，它还可应用于LED外延层的质量判定、判断在HEMT组件中二维电子气是否形成以及太阳能电池片的制程辅助。
工艺设备
1. 磁控溅射台 型号：SP-3
现有靶材为Ta、 Cu 、Si、Ti、Mo、Ni，其它薄膜溅射自带靶材，最大可同时放入三片6寸圆片。溅射腔室可通入气体：Ar，N2，H2，O2，溅射速率0.1—0.25nm/S（视材质而定）。 
2. 等离子体浸没式离子注入机  PIII-100
该设备由控制系统、真空系统、气路系统、射频电源、反应室等五部分组成。可用于半导体材料的P、N型注入，也可用于H、He、Ar的注入用于智能剥离SOI材料的研究。 
 
3. 紫外光刻机 URE-2000/A
 
本设备主要用于紫外接近、接触式光刻制造小规模集成电路、半导体器件、红外器件、微机电系统（MEMS）等，可曝光2’’-6”圆片， 套刻工艺加工，灯源采用1000W直流高压汞灯，曝光波长使用365nm。 
 
4. 快速退火炉 AW810M
温度范围为常温至1200℃，升温速度快，加热至最高温度仅需30S，可通N2、O2进行工艺。 

 
5. 硅片清洗机 SFQ-1508T
 
主要应用于各种半导体基片及类似材料制造过程中的湿法清洗工艺。如半导体硅片、砷化镓，太阳能电池板，掩模板及各种平板显示器等。最大可清洗片子尺寸：Φ300mm , 含酸碱槽、氢佛酸槽,清洗槽最高加热温度可达200℃


 
6. 旋转冲洗甩干机 CXS-2200B
 
该设备是高洁净度冲洗甩干设备, 结构采用净化处理技术，去离子水电阻率监控，可甩干2-8寸晶圆，125*125,156*156方片。
 

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