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使用直流四探针法测量和分析硅晶片、扩散层、 金属层的电阻率和薄膜电阻。 适用晶片尺寸:2"~8"; 数字电压表量程:0—199.9mV 灵敏度:100μV 输入阻抗:1000ΜΩ 基本误差±(0.4-0.5%读数+0.1%满度) 电阻率范围:10—3 —1×103Ω·cm。 方块电阻范围:10—2 —1×104Ω/□。
使用直流四探针法测量和分析硅晶片、扩散层、 金属层的电阻率和薄膜电阻。
适用晶片尺寸:2"~8"; 数字电压表量程:0—199.9mV 灵敏度:100μV 输入阻抗:1000ΜΩ 基本误差±(0.4-0.5%读数+0.1%满度)